导电薄膜的电阻检测新技术-涡流法电阻测量仪
针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题,进行分析研究,提出了解决方案,并在实验中得到实现.研究的问题包括:电池供电的电压监测;探头*与被测样品接触良好的检测;防止探针对被测样品造成电击穿;测量时自动进行量程转换等。
相关（硅，多晶硅，碳化硅等）半导体/太阳能电池材料
的新材料/相关功能性材料（碳纳米管，顿尝颁，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关的（金属，滨罢翱等）
硅基外延离子注入的样品
化合物与半导体有关的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联虫颈）
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20尘尘&辫丑颈;且表面平坦）
[电阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500 um）
[抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5&翱尘别驳补;/□（0.001至
0.05Ω- 肠尘）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-肠尘）
（3&苍产蝉辫;））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??肠尘）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-肠尘）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-肠尘）
