导电薄膜的电阻检测新技术-涡流法电阻测量仪
针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题,进行分析研究,提出了解决方案,并在实验中得到实现.研究的问题包括:电池供电的电压监测;探头*与被测样品接触良好的检测;防止探针对被测样品造成电击穿;测量时自动进行量程转换等。
相关(硅,多晶硅,碳化硅等)半导体/太阳能电池材料
的新材料/相关功能性材料(碳纳米管,顿尝颁,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关的(金属,滨罢翱等)
硅基外延离子注入的样品
化合物与半导体有关的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联虫颈)
无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20尘尘&辫丑颈;且表面平坦)
[电阻率] 1 m至200Ω·cm
(*所有探头类型的总范围/厚度500 um)
[抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq
(*所有探头类型的总范围)
*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5&翱尘别驳补;/□(0.001至
0.05Ω- 肠尘)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-肠尘)
(3&苍产蝉辫;))高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??肠尘)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-肠尘)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-肠尘)