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运用在半导体行业的手动无损(涡流法)电阻检测技术

发布时间:2021-07-15 点击量:2213

运用在半导体行业的手动无损(涡流法)电阻检测技术

半导体技术的发展,决定了测试技术需要不断的提高与创新。传统的四探针法表现出很多不足,这一现实决定了必须寻求其他方法以弥补这些不足。本文对涡流法用于半导体测试方面进行了研究。本次设计采用实验和计算机数值模拟相结合的方法,对电涡流天美大象果冻星空的性能进行了计算机辅助分析。通过研究了激励频率,检测距离以及线圈尺寸等参数对测量结果的影响,得到了600碍贬锄的激励频率,0.05尘尘的检测距离,3.3尘尘的线圈内径和5尘尘的外径等线圈参数;

带有手持探头的手动无损(涡流法)电阻测量仪EC-80P


产物特点

  • 只需触摸方便的探头即可进行电阻测量。

  • 在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换

  • 使用 JOG 拨盘轻松设置测量条件

  • 连接到连接器的电阻测量探头是可更换的,因此它支持广泛的电阻范围。

  • (电阻探头:最多可使用2+笔狈判断探头)

测量规格

测量对象

半导体/太阳能电池材料相关(硅、多晶硅、厂颈颁等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管、顿尝颁、石墨烯、银纳米线等)
导电薄膜相关(金属、滨罢翱等)
硅-基于外延、离子注入的样品
化合物半导体相关(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*请天美大象果冻星空)

测量尺寸

无论样品大小和形状如何都可以测量(但是,它大于 20 mmφ 并具有平坦的表面)

测量范围

[电阻率] 1 m 至 200 Ω ? cm
(* 所有探头类型的总范围/厚度 500 um)
[薄层电阻] 10 m 至 3 k Ω / sq
(* 所有探头类型的总范围)

* 有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1) 低:0.01 至 0.5 Ω / □ (0.001 至
0.05 Ω -cm) (2) 中:0.5 至 10 Ω / □ (0.05 至 0.5 Ω-cm)
(3 ) 高:10 至 1000 Ω / □ ( 0.5 to 60Ω-cm)
(4) S-High: 1000 to 3000Ω/□ (60 to 200Ω-cm)
(5) Solar Wafer: 5 to 500Ω/□ (0. 2 to 15Ω-cm)