什么是罢尝笔测试？
TLP是Transmission Line Pulse的缩写，当释放同轴电缆中存储的电荷时，得到方波。
这个特性可以用来研究滨颁的保护电路特性。
重要的一点是方波的上升时间。保护电路的特性随上升时间的变化而变化。因此，重要的是上升时间可以从高速变为低速作为该器件的一个点。作为目标上升，希望实现快于 200ps 的高速上升。
TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法主要有叁种。
(1) TDR (Time Domain Refraction)
使用 DUT 反射波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
检查通过 DUT 的波形的方法(3) TDTR
(Time Domain Transmission and Refraction)
图 1 显示了 TDR 方法。
电压波形通过直接在放电路径上连接示波器来确认，电流波形通过在放电路径上插入电流探头来确认。
在 TDT 方法中，图 1 中示波器和 DUT 的位置是相反的。
在 TLP 测试中，上升时间可以通过使用滤波器来改变，但脉冲宽度取决于用于充电的同轴电缆的长度。
图 2 显示了 TLP 的电路配置。
T = 2 L1 / VT 为脉冲宽度（ns），L1 为同轴电缆长度（mm）
V = 2.0 × 10 ^ 8m / s (例) 当 L1 = 20 (m) T = 200 (ns)
图 3 显示了当它入射到 DUT 并*消耗时的波形，这可以用图 2 中的电压表（示波器）来确认。
考虑 L2 长 10 mm 且 DUT 短的情况，分别确认入射波和反射波时的波形如图 4 左图所示。
可以用电压表确认的波形如图 4 右侧所示。
同样，可以用电流表（电流探头）确认的波形如图 5 右侧所示。
1.HED-T5000/HED-T5000VF
配备先进的测试模式。我们有一个施加脉冲宽度为 100 ns / 200 ns 的正常测试和一个施加宽度减小到 1 ns 的 VFTLP（极快 TLP）测试模式。
它可用于验证具有 ESD 电阻的 HBM / CDM 测试。您可以使用标准示波器检查器件引脚的入射波和器件引脚的反射波。
该数据被保存并显示在专用监视器上。入射/反射波的总值、回弹特性、痴蹿/滨尘测量的泄漏测量值等可以在专用监视器上追踪。
从示波器保存的数据允许在算术处理中具有高度的自由度。例如，您可以通过在工艺发生变化的晶体管的导通电压和可以通过保护电路的最大电流值上迭加迹线来检查差异。
它还可以连接到半自动探测器以自动执行 TLP 测试。
测试效率大大提高，因为晶圆上应用的引脚和芯片之间的自动移位和自动测量是可能的。
1.HED-T5000-HC
目前，对高集成度、高频率和高耐压器件的需求日益增加。
该设备可以测量传统罢尝笔无法覆盖的高压和大电流特性，可用于获取和分析高压元件的运行参数。
