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正电子寿命谱分析设备笔厂础1技术分析

发布时间:2022-10-31 点击量:657

正电子寿命谱分析设备笔厂础1技术分析

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它是一种可以使用正电子评估亚纳米尺寸(原子级)的微缺陷和空隙的方法。

正电子寿命测量是一种能够使用正电子评估亚纳米尺寸(原子级)微缺陷和空隙的技术。

本设备的应用示例

  • &苍产蝉辫;喷丸质量检查

  • 金属疲劳损伤评估

用途

  • &苍产蝉辫;钢、铝、钛等各种金属

  • &苍产蝉辫;无定形材料,例如玻璃和聚合物

  •  测量深度距表面约 50 μm(钢材)

正电子寿命法原理

  • 图1是正电子进入金属材料并湮灭的示意图。
    正电子寿命测量方法是一种精确测量正电子产生过程中发射的γ射线与电子对湮灭过程中产生的γ射线之间的时间差(正电子寿命)的技术。
    当材料中存在更多空位并且位错密度更高时,正电子寿命更长。

  • 规格

  • 正电子源Na-22 (~1MBq)
    计数率约 100 cps
    测量范围40 ns(用于金属、半导体和聚合物)
    附属设备?HDO4024(Teledyne LeCroy DSO)、
    (HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm])
    ?特殊程序
    ?笔记本电脑等