正电子寿命谱分析设备笔厂础1技术分析
它是一种可以使用正电子评估亚纳米尺寸(原子级)的微缺陷和空隙的方法。
正电子寿命测量是一种能够使用正电子评估亚纳米尺寸(原子级)微缺陷和空隙的技术。
&苍产蝉辫;喷丸质量检查
金属疲劳损伤评估
&苍产蝉辫;钢、铝、钛等各种金属
&苍产蝉辫;无定形材料,例如玻璃和聚合物
测量深度距表面约 50 μm(钢材)
图1是正电子进入金属材料并湮灭的示意图。
正电子寿命测量方法是一种精确测量正电子产生过程中发射的γ射线与电子对湮灭过程中产生的γ射线之间的时间差(正电子寿命)的技术。
当材料中存在更多空位并且位错密度更高时,正电子寿命更长。
规格
正电子源 | Na-22 (~1MBq) |
计数率 | 约 100 cps |
测量范围 | 40 ns(用于金属、半导体和聚合物) |
附属设备 | ?HDO4024(Teledyne LeCroy DSO)、 (HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm]) ?特殊程序 ?笔记本电脑等 |
上一篇:残余应力测量及消除技术