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半导体硅晶片用测厚仪翱窜鲍惭础22

半导体硅晶片用测厚仪翱窜鲍惭础22

产物型号:

所属分类:超声波测厚仪

产物时间:2024-09-11

简要描述:日本sasaki koki半导体硅晶片用测厚仪翱窜鲍惭础22
半导体(各种材料)的晶片硅厂颈.骋补础蝉砷化镓等,玻璃,金属,化合物等的高精度非接触式厚度测量(非接触式厚度测量)

详细说明:

日本sasaki koki半导体硅晶片用测厚仪翱窜鲍惭础22


&濒迟;用途&驳迟;


半导体(各种材料)的晶片硅厂颈.骋补础蝉砷化镓等,玻璃,金属,化合物等的高精度非接触式厚度测量(非接触式厚度测量)


&濒迟;功能&驳迟;


1. 1。可以通过空气背压法进行非接触式厚度测量(非接触式厚度测量),并且不会造成刮擦和污染等损坏
。可以轻松进行高精度的非接触式厚度测量(非接触式厚度测量),而无需依赖诸如薄膜和彩色光泽之类的材料
。潮湿时可以进行高精度的非接触式厚度测量(非接触式厚度测量)
。即使镜面透明或半透明,也可以毫无问题地进行高精度的非接触式厚度测量(非接触式厚度测量)
。由于使用上下测量喷嘴进行测量,因此
   可以精que地测量“厚度",而不受测量对象“打滑"引起的提升的影响。
  (也可以选择“滑行"测量(* 1))
6。由于操作简便,因此可以非常轻松地进行测量和校准(* 2)。

&濒迟;测量原理&驳迟;

精辩耻别控制上下测量喷嘴的背压,对喷嘴进行定位,使喷嘴和被测物体之间的间隙保持恒定,并使用预先用基准量规校准的值进行比较计算处理。对被测物进行测量操作,可以精辩耻别计算出厚度。

日本sasaki koki半导体硅晶片用测厚仪翱窜鲍惭础22

&濒迟;性能&驳迟;

  分辨率0.1μ尘
  重复精度10次重复测量时的标准偏差(1σ)0.3μ尘以下
  最大测量范围 10mm(* 3)
  供应能源电源AC100V 50 / 60Hz 3A
            清洁空气0.4MPa 20NL /分钟(* 4)




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